adi亚德诺半导体

　　EHL系列具有IEC II级结构，符合全球工业和家庭安全，专为480VAC系统中的相间操作而设计。OVC III（过电压III类）可直接连接到工业布线装置，提高电气安全性，并降低敏感电子设备损坏的风险。
adi亚德诺半导体　　对焦是指调整镜头和感光元件之间的距离，使得感光元件上呈现出清晰的影像，在拍摄时，对焦是直接影响画质清晰度的关键因素之一。而目前常使用的对焦方式仍然是传统的手动对焦，需要摄影师通过旋转对焦环来调整镜头对焦，直到在取景器中看到清晰的影像。
　　SC77708Q 支持用户配置跛行模式，当车辆发生看门狗超时等异常情况时，由半桥驱动的座椅、车窗等控制模块同样可以基于工程师的提前配置保留部分基础功能，直至车辆异常被解决。跛行模式已在高边驱动、电子保险丝等器件中被广泛应用，SC77708Q 将这一功能加入半桥驱动器，无疑为工程师的产品开发提供了更丰富的灵活度，也为终端用户的产品使用带来了更高的安全性和舒适度。

　　ST4E1240内置的保护功能符合 IEC 61000-4-2 标准，接触放电耐压高达+/-12kV，在实际应用中无需连接外部 ESD 保护器件。还有高达+/- 4kV的 A级快速瞬变保护功能，符合 IEC 61000-4-4标准的规定，保证数据完整性和总线稳定性。热插拔电路可防止在器件上电或插入期间总线上出现多余状态，并能够释放高达 100pF 的寄生电容。此外，故障安全保护功能可以拉高输出电平，避免在检测到开路、短路或空闲总线时出现不确定状态。其他功能包括 250mA 短路保护和热关断。
　　HIPS（高抗冲聚苯乙烯）可溶于柠檬烯，用于支撑 ABS，以及打印轻质物体。
　　TPE（热塑性弹性体），比此例中的 TPU 更有弹性（肖氏硬度 83A），高度耐用且抗疲劳，工作温度范围为 -30 至 140°C。
　　ASA 是一种抗紫外线的 ABS 替代品，其抗冲击性和耐热性几乎与 ABS 相同。适合户外应用，打印时气味较小。
adi亚德诺半导体此外，TOLT 器件还与英飞凌采用Q-DPAK封装的 CoolSiC? 750 V这一顶部散热CoolSiC? 工业产品组合形成了互补。当器件所需的电源不需要Q-DPAK封装时，开发者可使用TOLT器件减少SiC MOSFET占用的 PCB 面积。
　　凭借 -40°C 至 +125°C 的宽工作温度范围，设计人员可以在恶劣环境以及长负荷曲线应用中使用TSZ151，典型应用领域包括工业、服务器和电信基础设施电源中的反馈电路，以及汽车高精度信号调节和电源转换电路。
同时，SC200P系列集成功能丰富的接口，如 LCM、摄像头、触摸屏、麦克风、扬声器、UART、USB、I2C 以及 SPI 接口等，极大地助力客户后期在应用场景与开发设计上大有可为。

　　SCALE-iFlex XLT双通道门极驱动器可提供负温度系数(NTC)数据信息，也即对功率模块进行隔离式温度检测，从而实现变换器系统的温升管理。这使系统设计人员能够优化热设计，并在相同硬件的基础上将变换器的功率提高25%至30%。隔离的NTC读取功能还可降低逆变器系统硬件设计的复杂性，省去多个电缆、连接器和额外的安全隔离电路。
adi亚德诺半导体1200 V碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7表面贴装器件(SMD)封装，有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供选择。这是继Nexperia于2023年底发布两款采用3引脚和4引脚TO-247封装的SiC MOSFET分立器件之后的又一新产品，它将使其SiC MOSFET产品组合迅速扩展到包括RDSon值为17、30、40、60和80 mΩ 且封装灵活的器件。
利用 TDK 的专有材料技术，TDK 成功开发出一种新型固态电池材料，由于使用了氧化物固体电解质和锂合金阳极，其能量密度大大高于 TDK的传统量产固态电池（类型：CeraCharge）。此外，氧化物固体电解质的使用也使电池尤为安全，可适用于可穿戴设备和其他与人体直接接触的设备。
　　G3F GeneSiC MOSFETs 基于纳微专有的“沟槽辅助平面栅”技术研发，既拥有优于沟槽栅MOSFET的性能，还具备比竞争对手更强的鲁棒性、可制造性和成本效益。G3F MOSFETs 同时具备高效和高速的性能，可使器件的外壳温度降低高达25°C，比市场上其他厂商的碳化硅产品的寿命长3倍。