onsemi

meixin发布

推出六款新型电源模块,旨在提升功率密度、提高效率并降低 EMI。这些电源模块采用德州仪器专有的 MagPack 集成磁性封装技术,与市场上同类产品相比,尺寸缩小了多达 23%,支持工业、企业和通信应用的设计人员实现更高的性能水平。
onsemi  Power Integrations发布了一份新的设计范例报告(DER-952Q),重点展示了额定耐压1700V的InnoSwitch3-AQ IC所实现的高集成度。这款结构紧凑、外形小巧的电源可在85°C环境温度下,在300VDC至900VDC输入范围内提供86W的全功率输出。这是一款无散热片设计,其效率超过92%,并且仅使用62个元件。13.5V输出配置可使该设计取代车辆的12V辅助电池。
新型封装是我们战略的一部分,为了使客户将我们的 ICeGaN 产品系列 GaN 功率 IC 用于服务器、数据中心、逆变器/电机驱动器、微型逆变器和其他工业应用,获得它们带来的更高的功率密度和效率优势。这些应用不仅对设备的要求更高、同时要求设备坚固可靠、易于设计。新型封装支持并扩展了ICeGaN 产品系列的这些固有特性。
onsemi
  TS-3032-C7通过外部事件检测中断与时间戳结合可编程密码,提供了针对欺诈和黑客攻击的安全解决方案。此外,它的超小尺寸设计和可靠的真空密封金属盖,确保了其在微型化和成本敏感的大批量应用中的优势,同时保证了设备的长期稳定性和可靠性。
  Coherent I-temp 100G ZR QSFP28-DCO 收发器专为在边缘和接入网络中的户外街边机柜和抱杆安装部署场景而设计,非常适合需要支持更广泛运行温度范围的客户。这些收发器可以直接安装在已部署的具有 QSFP28 端口的接入网络设备上。例如,光线路终端(OLT)和中传及回传应用的汇聚交换机和路由器。
onsemi  为促进汽车电气化的深度发展及实现自动驾驶的先进功能,汽车市场越来越多的强调控制系统的数字化程度,对传感器的要求也在不断演进。对于线控转向系统这样的创新系统,由于方向盘和转向齿条之间没有机械连接,位置传感器作为关键部件便必须表现出卓越的可靠性、功能安全性和准确性。
  EHL系列具有IEC II级结构,符合全球工业和家庭安全,专为480VAC系统中的相间操作而设计。OVC III(过电压III类)可直接连接到工业布线装置,提高电气安全性,并降低敏感电子设备损坏的风险。
  GOODiX汇顶GH3026多通道 PPG 的健康监测芯片的典型功耗40?A,精度可以做到24bit,PPG动态范围高达110dB,可配置256?A环境光消除,还可配置256A直流偏移消除。同时支持8个LED用于血氧饱和度或多波长/多位置心率监测。此外GH3026支持12MHz SPI的通信接口,工作温度在-30~85℃,采用了WLCSP封装。
onsemi
  通过采用更先进的印刷电路板(PCB)和环氧树脂模塑料(EMC)[2]工艺,新一代LPDDR DRAM的封装厚度仅0.65毫米(mm),薄如指甲,超过之前所有12GB及以上容量的LPDDR DRAM。此外,三星优化了背面研磨工艺[3],进一步压缩了封装厚度。
onsemi正式面向中国市场推出第六代折叠屏手机三星Galaxy Z Fold6与Galaxy Z Flip6。同步登陆国内的还有诸多智能穿戴新品,包括三星Galaxy Ring、Galaxy Watch7、Galaxy Watch Ultra以及三星Galaxy Buds3系列。
 AIoT全球厂商研华隆重推出开放标准模块 (OSM) 新突破——ROM-2860核心板。ROM-2860采用LGA封装方式,实现45 x 45毫米超紧凑的尺寸设计。小尺寸但性能不凡,其搭载高通八核QCS6490处理器,达到了新的性能高度,为AIoT便携式应用带来突破。ROM-2860旨在超越行业标准,增强了AI计算性能,为机器视觉智能方案带来新的可能。凭借丰富的接口选择,ROM-2860为AIoT场景的多样化需求提供了理想方案。
推出新型80 V对称双通道n沟道功率MOSFET—SiZF4800LDT,将高边和低边TrenchFET Gen IV MOSFET组合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR 3x3FS单体封装中。Vishay Siliconix SiZF4800LDT适用于工业和通信应用功率转换,在提高功率密度和能效的同时,增强热性能,减少元器件数量并简化设计。

分类: 美信芯片