英飞凌mos管

　　ICeGaN 功率 IC 集成了米勒箝位以消除高速开关过程中的击穿损耗，并实现了0V关断从而限度地减少反向导通损耗，其性能优于分立 eMode GaN 和其他现有技术。新的封装提供了低至0.28 K/W的改进的热阻性能，与市场上任何其他产品比较具有相当或更加优异的性能。
英飞凌mos管　温湿度作为环境参数的重要指标，在智能化、信息化的时代对生产、生活、科研等各个领域都产生了深远的影响。温湿度传感器芯片的广泛应用不仅能够帮助用户实现温湿度环境监测智能化控制，还能提升家庭安全以及改善室内环境质量。从而为用户创造一个更加舒适、健康和节能的居住环境。
AI 边缘服务器 MEC-AI7400 (AI Edge Server)系列，在智能制造应用方案提供了几项优势，第一，快速交付。保证可靠的供应和高质量的产品，助力项目按时推进，推动业务发展。第二，提供多样化且灵活的产品组合。这些多元化的产品能够满足不同客户的各种需求，并适应智能制造中多变的要求。第三，完整解决方案。提供综合解决方案，将凌华智能影像采集卡、视觉/运动卡、GPU卡和服务器整合为完整系统。

　　现有2款采用新型 P2 产品演示板可供展示：一款是 CGD 与法国公共研发机构 IFP Energies nouvelles 合作开发的单相变三相汽车逆变器演示板；另一款是3kW图腾柱功率因数校正演示板。
　　RDSon是SiC MOSFET的一个关键性能参数，因为它会影响传导功率损耗。然而，许多制造商只关注标称值，而忽略了一个事实，即随着设备工作温度的升高，RDSon相比室温下的标称值可能会增加100%以上，从而造成相当大的传导损耗。
英飞凌mos管　　该器件将电子元件和传感器集成到一个标准的SO16 IC封装中。其中压阻元件配置为惠斯通电桥，电桥输出经放大后传送到模数转换级。然后，经16位数字信号处理器 (DSP) 进行温度补偿，并通过数模转换器提供模拟电压输出。模拟输出可以与现有标准传感器直接互操作，同时又保留了新型MEMS器件的优势。
，全新设计的T2000针对彩色电子纸优化，性能大幅升级，提供卓越的使用者体验，以更快的页面刷新速度，还能节省系统整体的用电。同时，T2000还提供手写功能，提升电子纸产品操作体验。感谢合作伙伴奇景光电的全力支持，提供优质的芯片，支持元太团队推进电子纸色彩开发的承诺。
　　芯片内部集成10 位模拟数字转换器 (ADC) 和故障寄存器，可提供丰富的诊断信息和数字电流检测反馈，以支持车辆相关功能，例如，预测性维护。VNF9Q20F通过 SPI 提供诊断数据，内置自检功能， 可使系统达到 ISO 26262 规定的安全完整性等级。在发生故障或功能异常时，嵌入式故障安全模式可使系统保持工作状态。

相比背对背硅FET，使用40 V GaN BDS的优点包括节省50% – 75%的PCB面积、降低50%以上的功率损耗，以及减少成本。
英飞凌mos管　Pasternack 新型连续可变衰减器的额定功率分别为5W和10W，工作频率可达18 GHz，衰减水平高达50 dB。
　　新型可变移相器的频率可达2 GHz、4 GHz和8 GHz，额定功率为 100W。这些可变移相器的可调相位有60°/GHz、90°/GHz和180°/GHz。
首款采用新型PowerPAK? 8 x 8LR封装的第四代600 V E系列功率MOSFET—SiHR080N60E，为通信、工业和计算应用提供高效的高功率密度解决方案。与前代器件相比，Vishay Siliconix n沟道SiHR080N60E导通电阻降低27 %，导通电阻与栅极电荷乘积，即600 V MOSFET在功率转换应用中的重要优值系数（FOM）下降60 %，额定电流高于D2PAK封装器件，同时减小占位面积。
　　美光宣布开发业界首款 PCIe Gen6 SSD。据称，这款新 SSD 能够实现“超过 26GB/s 的连续读取带宽”，目前正在为数据中心运营合作伙伴准备。
　　美光在新闻稿中声称，这款超快的新型PCIe Gen6数据中心 SSD 是全球首款。毫不奇怪，在当前的计算时代，涡轮增压存储技术被誉为能够满足日益增长的 AI 处理需求。