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　　为解决这一问题，ROHM成功开发出一款新型热敏打印头——KR2002-Q06N5AA。这款打印头兼容单节锂离子电池（3.6V）驱动，不仅实现了高性能打印，还节能约30%。
瑞萨代理商　　新款 Pixel 智能手机配备了 Google Tensor G4，谷歌称这是为 Gemini 等 AI 量身定制的。它比谷歌之前的处理器速度更快、更省电，谷歌还增加了更多 RAM（Pixel 为 12GB，Pixel Pro 型号为 16GB）。电池寿命和相机技术也全面改进，Pixel 9 Pro 型号采用 5 倍远摄镜头和 20 倍超分辨率变焦。
　　SiHR080N60E采用小型PowerPAK 8 x 8LR封装，外形尺寸为10.42 mm x 8 mm x 1.65 mm，占位面积比D2PAK封装减小50.8 %，高度降低66 %。由于封装采用顶侧冷却，因此具有出色的热性能，结壳（漏极）热阻仅为0.25 C/W。相同导通电阻下，额定电流比D2PAK封装高46 %，从而显著提高功率密度。此外，封装的鸥翼引线结构具有优异的温度循环性能。

TAS8240 是一款基于 TMR 的紧凑型传感器，带有冗余，经济实惠，由 4 个惠斯通电桥组成，适用于角度检测
　　在 -40℃ 至 +150℃ 的环境温度范围内，角度精度可达±1.0°
每个APU在单一系统中结合了高性能AMD CPU、GPU和HBM3内存，提供912个AMD CDNA? 3 GPU计算单元、96个“Zen 4”核心和512GB的统一架构HBM3内存。
瑞萨代理商新产品包括直流-直流转换器的MGN1系列，它们专为桥式电路中GaN的“高压侧”和“低压侧”栅极驱动电路供电。选择输出电压允许的1驱动水平，从而达到的系统效率。MGN1系列具有超低隔离电容和250V增强绝缘，能够满足高开关速度GaN应用中常见的高dv/dt要求。
通过在天线周边使用Radisol，能以较低的插入损耗来预防近距离天线之间的干扰。此外，Radisol体积小，因此有助于在智能手机和可穿戴终端等在有限空间内配备多个天线的设备中稳定无线通信功能。
与现有的650 V SiC和Si MOSFET相比，新系列具有超低的传导和开关损耗。这款AI服务器电源装置的AC/DC级采用多级PFC，功率密度达到100 W/in以上，并且效率达到99.5%，较使用650 V SiC MOSFET的解决方案提高了0.3个百分点。此外，由于在DC/DC级采用了CoolGaN?晶体管，其系统解决方案得以完善。通过这一高性能MOSFET与晶体管组合，该电源可提供8千瓦以上的功率，功率密度较现有解决方案提高了3倍以上。

全新 Supermicro X14 服务器基于数代成熟产品的平台，支持的 Intel Xeon 6 处理器，首批产品包括一系列支持企业、云服务提供商、中端和入门级型号的机架式服务器，其中包括 Hyper、CloudDC 和 WIO 平台。此外，作为经过密度和效率优化的多节点服务器，每机架多达 34560 个核心的 SuperBlade，BigTwin和 GrandTwin 也将采用这一全新处理器。
瑞萨代理商　　此外，NSHT30-Q1的I2C接口具有两个可选择的I2C地址，通信速度高达1 MHz，还支持2.0 V至5.5 V的宽电源电压范围，适用于各种应用环境。同时具有可编程的中断阈值，可以提供警报和系统唤醒，而不需要微控制器来持续监控系统。
推挽变压器驱动NSIP605x系列。该系列包括输出功率为1W的NSIP6051和输出功率为5W的NSIP6055。其中，NSIP6055提供两个版本：开关频率为160kHz的NSIP6055A，可用于对EMI要求更严格的系统应用；以及开关频率为420kHz的NSIP6055B，可用于对提高转换效率和缩小变压器尺寸有需求的系统应用。
　　凭借其的BiCS FLASH技术，通过专有工艺和创新架构，铠侠实现了存储芯片的纵向和横向缩放平衡。此外，铠侠还开发了突破性的CBA（CMOS directly Bonded to Array，外围电路直接键合到存储阵列）（3）技术，以提供更高的位密度和业界领先的接口速度（3.6Gbps（4））。这些先进技术的应用，共同促成了2Tb QLC存储器的诞生，成就了业界容量的存储器。