罗姆

意法半导体背照叠装晶圆制造工艺可以让传感器取得很高的分辨率，芯片尺寸和功耗比市场上同类iToF传感器更小，让这款传感器非常适合为网络摄像头和虚拟现实应用构建3D内容，包括虚拟化身、手部建模和游戏。
罗姆　　作为率先在业界提出分布式融合存储的厂商，浪潮信息聚焦行业客户的大模型落地需求与核心痛点，基于NVMe SSD研发出高效适配和优化的分布式全闪存储AS13000G7-N系列。硬件方面，AS13000G7-N是一款2U24盘位的全闪存储机型，搭载英特尔至强第四、第五代可扩展处理器，支持400 Gb 网卡，同时每盘位可配置15.36TB 大容量NVMe SSD。
若有芯片公司对此一芯片的进入量产有兴趣，Andes 晶心科技亦可考虑以特殊商务授权模式，让芯片公司有机会取得授权，将QiLai芯片带进量产。

利用其卓尔不凡的霍尔效应 3D 位置传感器产品系列的成员 HAL/HAR 3936*，进一步扩展了其的 Micronas 3D HAL? 位置传感器系列。HAL/HAR 3936 是磁位处理技术的重大进步，旨在满足现代汽车和工业应用场景的苛刻要求。
首款采用新型PowerPAK? 8 x 8LR封装的第四代600 V E系列功率MOSFET—SiHR080N60E，为通信、工业和计算应用提供高效的高功率密度解决方案。与前代器件相比，Vishay Siliconix n沟道SiHR080N60E导通电阻降低27 %，导通电阻与栅极电荷乘积，即600 V MOSFET在功率转换应用中的重要优值系数（FOM）下降60 %，额定电流高于D2PAK封装器件，同时减小占位面积。
罗姆　　故障状态模块的两个组件可监控多个浪涌保护器的状态。套件由两部分组成：光学发射器/接收器和光学偏转装置。如果要监控的其中一个浪涌保护器发生故障，光信号就会中断，故障也会被识别出来。故障状态模块拥有LED状态指示灯，可对浪涌保护进行目视检查，以满足定期测试的规范要求。此外还可输出状态信息，以便识别发生故障的区块。一个故障状态模块多可监控50个模块。
　　领先的测试和测量解决方案提供商泰克科技自豪地宣布推出 TAP1500L，这是一款配备七米电缆的开创性有源单端探头。TAP1500L 探头的推出彰显了泰克对率先开发探测技术的坚定承诺。该产品以 IsoVu? 探头的成功经验为基础，而后者使用光学隔离技术几乎能够完全消除共模干扰。
　　与上一代OptiMOS 3相比，OptiMOS6 200 V产品组合具有更加强大的技术特性，其RDS(on)降低了42%，有助于减少传导损耗和提高输出功率。在二极管性能方面，OptiMOS6 200 V的软度大幅提升至OptiMOS 3的三倍多，且 Qrr(typ)降低了 89%，使开关和 EMI 性能均得到明显改善。该技术还提升了寄生电容线性度（Coss 和 Crss），减少了开关期间的振荡并降低了电压过冲。更紧密的 VGS(th) 分布和低跨导特性有助于MOSFET并联和电流共享，使温度变得更加均匀且减少了并联MOSFET的数量。

　　EL336x 模拟量端子模块是倍福现有称重模块产品系列中的新品，其性能优于 EL3351，相较 EL3356 功能更加丰富。ELM350x 系列 EtherCAT 测量端子模块支持可自由调节的滤波器、四分之一/半桥以及更高的采样速率（支持 TwinCAT 3 Weighing 功能库），适合用于测量精度要求更高的极严苛的动态应用场景。
罗姆　　影像方面，Reno12 系列配备5000万AI全焦段三摄，带来新升级的5000 万AI人像摄像头、5000万AI 广角主摄与 112 度 AI超广角摄像头，并搭载 5000 万AI 猫眼镜头，帮助用户以影像记录从全身到半身的多种人像题材。借助 OPPO 领先的 AI 能力，Reno12 系列融入多项 AI 影像能力，帮助用户通过全新一代的 AI 辅助创作，为自己的时刻更添创造力。
　　HAR 3920 凭借其双冗余设计脱颖而出，即两个独立的芯片堆叠在单一封装内，并电气连接到一侧引脚。这种堆叠式芯片结构通过占据相同的磁场位置来确保一致的输出信号特性。传感器利用霍尔技术测量垂直和水平磁场分量，并使用霍尔板阵列抑制外部杂散场。该传感器可测量磁铁 360°角度范围和线性运动。一块简单的两极磁铁就足以进行的旋转角度测量，理想情况下可放置在轴端配置中敏感区域的上方。传感器还支持杂散场稳健离轴测量。
　　PolarFire板具有1GB DDR4内存、一个microSD卡插槽、一个千兆以太网端口，以及带有硬件扩展选项的其他接口（包括用于连接MikroElektronika Click Boards、40引脚Raspberry Pi HAT和MIPI视频的接头），所有这些均可通过I2C和SPI协议进行控制，以实现快速原型开发。